西安电子科技大学张进成教授做“宽禁带与超宽禁带半导体电子材料与器件”物理学前沿讲座

1213日下午,西安电子科技大学张进成教授来德甲联赛下注系作主题为“宽禁带与超宽禁带半导体电子材料与器件”的学术报告,介绍宽禁带与超宽禁带半导体的前沿工作。

张进成教授做“宽禁带与超宽禁带半导体电子材料与器件”物理学前沿讲座

张教授从四个方面展开了讲座的主题: 首先介绍了宽禁带的研究背景与意义,紧接着介绍了氮化镓微波功率器件、氮化镓微波二极管以及超宽禁带半导体的相关前沿信息。

张进成教授在物理学前沿讲座现场

张教授提出宽禁带与超宽禁带半导体在高质量材料制备、器件工艺以及器件结构等方面也存在大量的技术挑战。张教授所在的团队20多年来始终致力于宽禁带和超宽禁带半导体电子材料与器件研究,相继开发了专用MOCVD设备、低缺陷生长方法、新型异质结构以及新型器件结构等,实现了国际领先水平的氮化镓微波功率器件,并在国家重大工程中成功应用。其次,近年来又针对超宽禁带半导体研究取得了一系列突破性进展,包括氧化镓肖特基二极管国际最高击穿电压>3 kV与功率指数0.5 GW/cm2、铝镓氮栅注入晶体管>5 V的阈值电压并同时获得200 mA/mm的输出电流密度以及>2 kV的击穿电压、金刚石场效应晶体管在栅长为2 μm时仍然具有400 mA/mm高电流密度并能稳定工作在200 °C。报告最后,张教授总结提出在宽进度半导体的研究领域里,材料和设备是关键,基础研究到应用转化速度不断加快的市场条件下,产业承接是关键。

张教授是西安电子科技大学科学研究院院长,微电子学院教授,博导。研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体电子材料与器件,发表SCI论文300余篇,出版专著3部,授权发明专利80余项,成果6次被Semiconductor Today专题报道。获国家技术发明二等奖2项,省部级科技一等奖4项及国家教学成果一等奖1项。曾入选国家杰出青年基金等称号。讲座现场气氛热烈,问答阶段张教授与物科院师生就超宽禁带器件优势、GaN微波功率器件的未来发展方向和挑战等问题进行了深入德甲联赛下注,讲座圆满结束。

 张进成教授回答学生提问